Công nghệ IBC là gì?

Mặt trước của tế bào không có tấm chắn đường cổng, có thể loại bỏ sự mất mát dòng điện từ điện cực kim loại và tận dụng tối đa các photon tới. So với pin mặt trời thông thường, dòng điện ngắn mạch có thể tăng lên khoảng 7%.

Các điện cực âm và dương nằm ở mặt sau của pin nên không có vấn đề gì với việc che chắn đường lưới. Tỷ lệ co của đường lưới có thể được mở rộng tương ứng để giảm điện trở nối tiếp và cải thiện FF.

Cấu trúc thụ động bề mặt và cấu trúc chụp bề mặt có thể được tối ưu hóa cho tỷ lệ tái kết hợp bề mặt trước thấp hơn và phản xạ bề mặt, cải thiện VOC và JSC, bởi vì mặt trước không phải xem xét các yếu tố như bóng chắn đường cổng và tiếp xúc kim loại.

Hình thức đẹp, đặc biệt thích hợp cho việc tích hợp các tòa nhà quang điện có triển vọng thương mại tốt.