Công nghệ mô-đun năng lượng mặt trời HJT là gì

Màn hình hiển thị hình dạng pin mặt trời Maysun HJT. HJT là một điểm nối PN đặc biệt kết hợp hai công nghệ khác nhau vào một tế bào: một tế bào silicon tinh thể được kẹp giữa hai lớp silicon "màng mỏng" vô định hình

Công nghệ HJT là gì?

Pin mặt trời HJT có thiết kế hai mặt, có thể hấp thụ ánh sáng tới và ánh sáng tán xạ từ hai phía. làm sạch bề mặt, một loại wafer silicon đơn tinh thể, và sau đó một lớp silicon thụ động rất mỏng của silicon tự nhiên và silicon loại N pha tạp chất được lắng đọng ở phía bên kia.
Sau khi các lớp silicon vô định hình được áp dụng, công nghệ phủ phún xạ PVD được áp dụng để áp dụng một màng oxit dẫn điện (TCo) trong suốt và lớp kim loại trên cả hai mặt của các ô.
Cuối cùng, lưới kim loại được hình thành trên cả hai mặt bằng công nghệ kim loại hóa sáng tạo của chúng tôi.

Ưu điểm của pin mặt trời Maysun HJT: hiệu suất cao tới 24% -25%. Tấm wafer silicon kích thước lớn 210mm và tốc độ suy giảm chậm. Pin mặt trời HJT được thiết kế hai mặt, và lớp phim ở mặt sau sẽ tăng rất nhiều điện năng do ánh sáng mặt trời phản chiếu xuống mặt đất. Tế bào HJT mỏng hơn, khoảng 160 ~ 100μm.

Ưu điểm của công nghệ HJT

Hiệu quả cao
kích thước lớn
giảm xóc thấp
tỷ lệ khung hình kép cao
ít quy trình hơn
hinning

So sánh trực diện các mô-đun năng lượng mặt trời Maysun HJT. HJT có tuổi thọ phát điện lâu hơn, vì vậy nó có sản lượng cao hơn bất kỳ công nghệ hiệu quả cao nào khác

Mô-đun quang điện HJT

Sử dụng pin mặt trời dị liên kết hiệu suất cao hơn, hiệu suất mô-đun lên đến hơn 21,5%.
Công nghệ cắt nửa tế bào HJT hàng đầu trong ngành.
Hệ số nhiệt độ ổn định nhất của công suất -0,24% cho năng suất tăng ổn định.
Sử dụng tấm loại N, không có BÌA do cặp B-O
Khả năng kháng PID tuyệt vời.
Hệ số hai mặt 85% mang lại sự gia tăng năng suất bổ sung lớn hơn từ phía sau ra phía sau.

Hướng phát triển của ngành pin mặt trời hiệu suất cao. Hiện tại, pin PERC đơn tinh thể được sử dụng rộng rãi nhất là pin silicon đơn tinh thể loại P, các công nghệ pin mặt trời mới như TOPCon, HJT, IBC,… chủ yếu đề cập đến pin silicon đơn tinh thể loại N.

Hướng phát triển ngành pin mặt trời hiệu suất cao

Sơ đồ cấu trúc pin mặt trời Maysun HJT. HJT là một điểm nối PN đặc biệt, được hình thành bởi vật liệu silicon vô định hình và silicon tinh thể. Nó là một loại pin loại N. bằng cách lắng đọng một màng silicon vô định hình trên silicon tinh thể. Sơ đồ cấu trúc pin HJT: điện cực phía trước, TCO, lớp silicon dioxide, lớp thụ động, lớp khuếch tán loại n, silicon tinh thể loại P, lớp thụ động, lớp silicon nitride, lớp điện trường phía sau, điện cực sau.

Sơ đồ khối của công nghệ HJT