Ưu điểm của công nghệ HJT là gì?

Pin mặt trời HJT có thiết kế hai mặt, có thể hấp thụ ánh sáng tới và ánh sáng tán xạ từ hai phía. làm sạch bề mặt, một loại wafer silicon đơn tinh thể, và sau đó một lớp silicon thụ động rất mỏng của silicon tự nhiên và silicon loại N pha tạp chất được lắng đọng ở phía bên kia.

Sau khi các lớp silicon vô định hình được áp dụng, công nghệ phủ phún xạ PVD được áp dụng để áp dụng một màng oxit dẫn điện (TCo) trong suốt và lớp kim loại trên cả hai mặt của các ô.

Cuối cùng, lưới kim loại được hình thành trên cả hai mặt bằng công nghệ kim loại hóa sáng tạo của chúng tôi.

Sử dụng pin mặt trời dị liên kết hiệu suất cao hơn, hiệu suất mô-đun lên đến hơn 21,5%.

Công nghệ cắt nửa tế bào HJT hàng đầu trong ngành.

Hệ số nhiệt độ ổn định nhất của công suất -0,24% cho năng suất tăng ổn định.

Sử dụng tấm loại N, không có BÌA do cặp B-O
Khả năng kháng PID tuyệt vời.

Hệ số hai mặt 85% mang lại sự gia tăng năng suất bổ sung lớn hơn từ phía sau ra phía sau.